2017 年第一季 DDR3 4GB 合约价飙至 25 美元,创 DRAM 淡季

TrendForce 记忆体储存研究(DRAMeXc hange)最新研究显示,由于 DRAM 供货吃紧至今未有改善的迹象,因此延续 2016 下半年的价格涨势,2017 年第一季 DRAM 平均销售单价呈大幅上涨格局,DDR3 4GB 模组的合约价最高已超过 25 美元,季涨幅超过三成,为 DRAM 史上首个在传统淡季下仍能维持强势涨价的一季。

DRAMeXchange 研究协理吴雅婷表示,根据现已成交的合约看来,2017 年第一季标準型记忆体价格持续攀高,平均涨幅接近三成,伺服器记忆体的涨幅略同,R-DIMM 32GB 模组已超过 200 美元大关,涨幅同样超过二成。行动式记忆体也因智慧型手机在中国新年铺货的需求带动下,不论是单颗颗粒 (discrete product)或 eMCP 解决方案,价格都同样攀高,季涨幅估将超过一成。

行动式与伺服器用记忆体需求持续强劲,供货吃紧将可能持续整年

2016 年起,由于中国品牌崛起带动智慧型手机需求旺盛,DRAM 原厂陆续调降标準型记忆体产出,转作行动式记忆体。在供货减少下,DDR3 4GB 均价一路攀升至今,连带让伺服器用记忆体价格也呈现大涨,甚至行动式记忆体在 2017 年第一季也有近 15% 的季涨幅,此外,绘图用记忆体与利基型记忆体也都雨露均霑,季涨幅至少超过一成 。

展望 2017 年,各 DRAM 原厂资本支出较为保守,皆不倾向过分扩张产能,并以获利导向为主要经营策略。DRAMeXchange 预估,2017 年 DRAM 产业的供给端位元年成长率仅 19%, 远低于往年至少二成甚至超过三成的年成长率,在 2017 年 DRAM 需求端年成长超过 22% 情况下,供不应求的严峻程度可见一斑。

2017 年第一季 DDR3 4GB 合约价飙至 25 美元,创 DRAM 淡季

从市场面观察,由于 2017 年旗舰手机记忆体搭载量将上看 8GB,加上中阶手机多迈向搭载 4GB 规格,因此行动式记忆体依然是 DRAM 产业需求成长最为强劲的类别,整体而言,2017 年智慧型手机记忆体容量年成长将超过 30%,超越一般笔电使用的记忆体规格。

此外,因各式云端服务兴起,伺服器用记忆体需求也显着成长。DRAMeXchange 预估,2017 年伺服器的平均记忆体容量将达 130GB 以上,其中,中国市场的强劲需求力道高于世界水平,亦驱使 DRAM 厂在 2017 年的产能分配下,皆计划将产能转往行动式记忆体与伺服器用记忆体,持续使部分 DRAM 产品供货吃紧甚至发生缺货情形。现阶段 DRAM 厂多採取製程转进的方式满足客户需求,而不倾向增加产能,因此,2017 年供货短缺的情况极有可能持续一整年度,有助于 DRAM 产业维持丰厚获利。